IT之家 10 月 6 日消息，瑞萨电子今日宣布推出公司首款低压氮化镓功率半导体产品。本次推出的产品属 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管系列，面向 AI 数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动等应用领域。IT之家了解到，瑞萨本次推出的产品有 RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC 和 RTP100E1P2G1FL-DSC，拥有较为优越的硬开关和软开关优值（FOM）性能，相比同类 GaN 器件，硬开关 FOM 最高降低 35%，软开关 FOM 最高降低 63%。低压 GaN 器件还保持与硅器件兼容的封装尺寸，